中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光专利侵权

　　近日，中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼，要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项 3D NAND 技术专利，并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称，美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的 8 项专利，这些专利涉及到 3D NAND 存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等方面。

　　据IT之家了解，存储芯片主要分为 DRAM(动态随机存储)和 NAND(闪存)两类，前者属于易失性存储器，即一旦断电存储资料立刻流失，一般被用作内存辅助 CPU(中央处理器)进行计算;后者为非易失性存储器，用于存储资料，用于制造固态硬盘。

　　长江存储在起诉书中指出，美光在未经授权的情况下使用长江存储专利技术来与进行市场竞争，保护其市场份额，且美光未就使用上述专利支付合理费用，侵犯了长江存储的利益，遏制了后者的创新动力。其还指控称，美光在自己的专利文件中引用了长江存储相关专利，证明美光了解长江存储的专利组合非常重要，但美光并未采取任何实际行动寻求获取长江存储专利授权。

　　长江存储还在起诉书中表示，若法院未能就美光侵犯专利下达产品永久禁令，则应制定相关方案，如美光向长江存储支付专利授权费等。

　　长江存储成立于 2016 年 7 月，总部位于湖北武汉，主攻设计、制造 3D NAND 闪存芯片。长江存储采用了自研的 Xtacking(晶栈)架构，其在技术上已经追上国外巨头，在 NAND 领域，长江存储 2021 年就量产了 128 层 3D 堆叠产品，232 层产品亦开始上量。

　　美光是存储芯片龙头公司，与长江存储在 NAND 市场是竞争对手，据集邦咨询数据，2023 年二季度的 NAND 市场，美光市场份额为 13%，排名第五。在市场体量上，长江存储与美光差距较大。

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